新兴制造商，源头供应。
Msemitek（美浦森半导体）是分立及功率器件半导体制造商，2014 年成立，总部位于深圳，研发硅及碳化硅（SiC）功率器件，在深圳及苏州设有研发中心，并在深圳设有 CNAS 认可实验室。晶圆生产采用中国及韩国的合作晶圆厂。Msemitek 表示其已取得 ISO 9001、ISO 14001 及 ISO 45001 认证。
相比我们产品线上的知名大厂，它是规模较小的品牌。对 EMS 采购而言，这正是重点：第二货源、原厂价格、原厂快速回复，以及验证所需的样品。
原厂直供
货源来自 Msemitek，而非现货市场。
价格有竞争力
降本项目的实用第二货源。
样品支持
提供验证用样品及规格书。
我们供应的 Msemitek 产品。
系列及封装以 Msemitek 现行规格书为准。
功率 MOSFET
沟槽及 SGT MOSFET（16–200 V，N 沟道及 P 沟道）、超结 MOSFET（600–950 V）及平面 MOSFET（200–1500 V）。SiC MOSFET 650 至 1700 V。
二极管
碳化硅（SiC）二极管，650 至 1700 V。
IGBT 及模块
沟槽 IGBT，650 至 1700 V，有分立器件及模块；另有 MOS 及 IGBT 智能功率模块（IPM）。
产品系列。
发送竞品料号，我们会推荐最接近的 Msemitek 型号供您审阅。
| 型号 | 类型 | 主要额定值 | 封装 |
|---|---|---|---|
| SLD140N02T | 沟槽 MOSFET，N 沟道 | 20 V，148 A，4.5 V 时最大 2.5 mΩ | TO-252 |
| SLM150N03G | SGT MOSFET，N 沟道 | 30 V，150 A，10 V 时最大 1.3 mΩ | PDFN5×6 |
| SLH60R040E7 | 超结 MOSFET | 600 V，最大 40 mΩ | TO-247 |
| SLC60R105GTDI | 超结 MOSFET，快恢复体二极管 | 600 V，最大 105 mΩ | TOLL |
| MSD10065G1 | SiC 肖特基二极管 | 650 V, 10 A | TO-252 |
| MSH025120MT | SiC MOSFET | 1200 V，80 A，典型 25 mΩ | TO-247-3 |
| MSHP275GS065DA1 | 沟槽 IGBT | 650 V, 275 A | TO-247P-3L |
600 多个料号。
料号数量取自 Msemitek 2026 年 1 月选型指南；电压范围取自该指南及 Msemitek 2026 年公司简介。完整清单可应要求提供。
| 系列 | 料号数量 | 电压 |
|---|---|---|
| 中低压 MOSFET（沟槽、SGT） | 245 | 16–200 V |
| 超结 MOSFET | 146 | 600–950 V |
| 平面 MOSFET | 107 | 200–1500 V |
| IGBT | 48 | 650–1700 V |
| SiC 二极管 | 47 | 650–1700 V |
| SiC MOSFET | 51 | 650–1700 V |
MS OpenLab，深圳。
Msemitek 在深圳自设测试中心 MS OpenLab，2019 年成立，2024 年 3 月获 CNAS 认可，面积超过 1,000 m²，涵盖器件测试、可靠性、失效分析及应用测试。典型项目：−55 至 200 °C 静态及动态参数、开关及反向恢复、热阻、HTRB／HTGB／H3TRB、温度循环及 HAST，以及用于失效分析的 X 射线及开封。
AI 服务器电源。
针对 AI 服务器电源（1 kW 至 12 kW 以上），Msemitek 提供用于图腾柱 PFC 及 LLC 级的 600/650 V 超结 MOSFET（E7 系列；E7D 及 GTD 带快恢复体二极管），以及 650、750、1200 及 1700 V SiC MOSFET（MT 及 MF 系列）。
应用领域。
应用领域取自 Msemitek 2026 年公司简介。